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XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V disponible en Yaxa Venezuela
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XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V

Categoría: Controladores

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Información de XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V

Descripción detallada +

Este módulo admite disparo de alto nivel, disparo de bajo nivel, control de conmutación y control PWM; Se utiliza la salida activa paralela dual MOS importada original, con menor resistencia interna, mayor corriente y potencia fuerte. Es 10A y 600W a temperatura ambiente, cumpliendo con el uso de la mayoría de los equipos; Soporte ultra amplio voltaje: DC 4V ~ 60V; Lograr fácilmente el control de dispositivos de alta potencia. Rango de voltaje de disparo de bajo nivel: DC 0V-0.6V, señal de disparo a 0V-0.6V, transistor MOS está encendido; por encima de 3.0V, transistor MOS está apagado; voltaje de señal no puede ser 0.6V-3.0V, porque el tubo MOS no está completo Circuito abierto, salida de alta potencia dañará MOS. Rango de voltaje de disparo de alto nivel: DC3.0V ~ 24V, es decir, cuando la señal es 3.0V ~ 24V, el transistor MOS está encendido; Si es inferior a 0.6V, es decir, 0V ~ 0.6V, el tubo MOS está apagado, y el voltaje de señal no debe estar entre 0.6V y 3.0V. De esta manera, el MOS está en un estado abierto incompleto, y el MOS se quema durante el uso de alta potencia;

Beneficios rápidos +
  • Envío rápido
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  • Garantía incluida
  • Soporte por WhatsApp
Beneficios clave de XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V +
  • Este módulo admite disparo de alto nivel, disparo de bajo nivel, control de conmutación y control PWM
  • Se utiliza la salida activa paralela dual MOS importada original, con menor resistencia interna, mayor corriente y potencia fuerte. Es 10A y 600W a temperatura ambiente, cumpliendo con el uso de la mayoría de los equipos
  • Soporte ultra amplio voltaje: DC 4V ~ 60V
  • Lograr fácilmente el control de dispositivos de alta potencia. Rango de voltaje de disparo de bajo nivel: DC 0V-0.6V, señal de disparo a 0V-0.6V, transistor MOS está encendido
  • por encima de 3.0V, transistor MOS está apagado
  • voltaje de señal no puede ser 0.6V-3.0V, porque el tubo MOS no está completo Circuito abierto, salida de alta potencia dañará MOS. Rango de voltaje de disparo de alto nivel: DC3.0V ~ 24V, es decir, cuando la señal es 3.0V ~ 24V, el transistor MOS está encendido
  • Si es inferior a 0.6V, es decir, 0V ~ 0.6V, el tubo MOS está apagado, y el voltaje de señal no debe estar entre 0.6V y 3.0V. De esta manera, el MOS está en un estado abierto incompleto, y el MOS se quema durante el uso de alta potencia
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Ficha técnica +
Fabricante:
JESSINIE
Dimensiones:
1,81 x 1,14 x 0,59 pulgadas in
SKU:
B0C1C2S3D8

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